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        7. MOS管與CMOS管知識(shí)與簡(jiǎn)單CMOS邏輯門(mén)電路詳解
          • 發(fā)布時(shí)間:2019-11-16 16:16:13
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          CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平
          CMOS概述
          CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的縮寫(xiě)。它是指制造大規(guī)模集成電路芯片用的一種技術(shù)或用這種技術(shù)制造出來(lái)的芯片,是電腦主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片。因?yàn)榭勺x寫(xiě)的特性,所以在電腦主板上用來(lái)保存BIOS設(shè)置完電腦硬件參數(shù)后的數(shù)據(jù),這個(gè)芯片僅僅是用來(lái)存放數(shù)據(jù)的。
          電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
          而對(duì)BIOS中各項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的程序。BIOS設(shè)置程序一般都被廠商整合在芯片中,在開(kāi)機(jī)時(shí)通過(guò)特定的按鍵就可進(jìn)入BIOS設(shè)置程序,方便地對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)置。因此BIOS設(shè)置有時(shí)也被叫做CMOS設(shè)置。
          MOS管概述
          MOS管又分為兩種類(lèi)型:N型和P型。如下圖所示:
          CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平
          以N型管為例,2端為控制端,稱(chēng)為“柵極”;3端通常接地,稱(chēng)為“源極”;源極電壓記作Vss,1端接正電壓,稱(chēng)為“漏極”,漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導(dǎo)通,柵極2上要加高電平。
          對(duì)P型管,柵極、源極、漏極分別為5端、4端、6端。要使4端與6端導(dǎo)通,柵極5要加低電平。
          在CMOS工藝制成的邏輯器件或單片機(jī)中,N型管與P型管往往是成對(duì)出現(xiàn)的。同時(shí)出現(xiàn)的這兩個(gè)CMOS管,任何時(shí)候,只要一只導(dǎo)通,另一只則不導(dǎo)通(即“截止”或“關(guān)斷”),所以稱(chēng)為“互補(bǔ)型CMOS管”。
          CMOS邏輯電平
          高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V;Vss接地,是0V。
          高電平視為邏輯“1”,電平值的范圍為:VDD的65%~VDD(或者VDD-1.5V~VDD)
          低電平視作邏輯“0”,要求不超過(guò)VDD的35%或0~1.5V。
          +1.5V~+3.5V應(yīng)看作不確定電平。在硬件設(shè)計(jì)中要避免出現(xiàn)不確定電平。
          近年來(lái),隨著亞微米技術(shù)的發(fā)展,單片機(jī)的電源呈下降趨勢(shì)。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應(yīng)用中,VDD為2.7V,甚至1.8V的單片機(jī)也已經(jīng)出現(xiàn)。將來(lái)電源電壓還會(huì)繼續(xù)下降,降到0.9V,但低于VDD的35%的電平視為邏輯“0”,高于VDD的65%的電平視為邏輯“1”的規(guī)律仍然是適用的。
          非門(mén)
          CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平
          非門(mén)(反向器)是最簡(jiǎn)單的門(mén)電路,由一對(duì)CMOS管組成。其工作原理如下:
          A端為高電平時(shí),P型管截止,N型管導(dǎo)通,輸出端C的電平與Vss保持一致,輸出低電平;A端為低電平時(shí),P型管導(dǎo)通,N型管截止,輸出端C的電平與VDD一致,輸出高電平。
          與非門(mén)
          CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平
          與非門(mén)工作原理:
          ①、A、B輸入均為低電平時(shí),1、2管導(dǎo)通,3、4管截止,C端電壓與VDD一致,輸出高電平。
          ②、A輸入高電平,B輸入低電平時(shí),1、3管導(dǎo)通,2、4管截止,C端電位與1管的漏極保持一致,輸出高電平。
          ③、A輸入低電平,B輸入高電平時(shí),情況與②類(lèi)似,亦輸出高電平。
          ④、A、B輸入均為高電平時(shí),1、2管截止,3、4管導(dǎo)通,C端電壓與地一致,輸出低電平。
          或非門(mén)
          CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平
          或非門(mén)工作原理:
          ①、A、B輸入均為低電平時(shí),1、2管導(dǎo)通,3、4管截止,C端電壓與VDD一致,輸出高電平。
          ②、A輸入高電平,B輸入低電平時(shí),1、4管導(dǎo)通,2、3管截止,C端輸出低電平。
          ③、A輸入低電平,B輸入高電平時(shí),情況與②類(lèi)似,亦輸出低電平。
          ④、A、B輸入均為高電平時(shí),1、2管截止,3、4管導(dǎo)通,C端電壓與地一致,輸出低電平。
          注:
          將上述“與非”門(mén)、“或非”門(mén)邏輯符號(hào)的輸出端的小圓圈去掉,就成了“與”門(mén)、“或”門(mén)的邏輯符號(hào)。而實(shí)現(xiàn)“與”、“或”功能的電路圖則必須在輸出端加上一個(gè)反向器,即加上一對(duì)CMOS管,因此,“與”門(mén)實(shí)際上比“與非”門(mén)復(fù)雜,延遲時(shí)間也長(zhǎng)些,這一點(diǎn)在電路設(shè)計(jì)中要注意。
          三態(tài)門(mén)
          CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平
          三態(tài)門(mén)的工作原理:
          當(dāng)控制端C為“1”時(shí),N型管3導(dǎo)通,同時(shí),C端電平通過(guò)反向器后成為低電平,使P型管4導(dǎo)通,輸入端A的電平狀況可以通過(guò)3、4管到達(dá)輸出端B。
          當(dāng)控制端C為“0”時(shí),3、4管都截止,輸入端A的電平狀況無(wú)法到達(dá)輸出端B,輸出端B呈現(xiàn)高電阻的狀態(tài),稱(chēng)為“高阻態(tài)”。
          這個(gè)器件也稱(chēng)作“帶控制端的傳輸門(mén)”。帶有一定驅(qū)動(dòng)能力的三態(tài)門(mén)也稱(chēng)作“緩沖器”,邏輯符號(hào)是一樣的。
          注:
          從CMOS等效電路或者真值表、邏輯表達(dá)式上都可以看出,把“0”和“1”換個(gè)位置,“與非”門(mén)就變成了“或非”門(mén)。對(duì)于“1”有效的信號(hào)是“與非”關(guān)系,對(duì)于“0”有效的信號(hào)是“或非”關(guān)系。
          上述圖中畫(huà)的邏輯器件符號(hào)均是正邏輯下的輸入、輸出關(guān)系,即對(duì)“1”(高電平)有效而言。而單片機(jī)中的多數(shù)控制信號(hào)是按照負(fù)有效(低電平有效)定義的。例如片選信號(hào)CS(Chip Select),指該信號(hào)為“0”時(shí)具有字符標(biāo)明的意義,即該信號(hào)為“0”表示該芯片被選中。因此,“或非”門(mén)的邏輯符號(hào)也可以畫(huà)成下圖。
          CMOS,MOS管,CMOS邏輯電平
          組合邏輯電路
          “與非”門(mén)、“或非”門(mén)等邏輯電路的不同組合可以得到各種組合邏輯電路,如譯碼器、解碼器、多路開(kāi)關(guān)等。
          組合邏輯電路的實(shí)現(xiàn)可以使用現(xiàn)成的集成電路,也可以使用可編程邏輯器件,如PAL、GAL等實(shí)現(xiàn)。
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