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        7. MOS工作基礎(chǔ)知識(shí)
          • 發(fā)布時(shí)間:2020-03-05 17:16:00
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          MOS工作基礎(chǔ)知識(shí)
          結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類(lèi)。
          場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。按溝道半導(dǎo)體材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和MOS管P溝道兩種。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子介入導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子介入導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼乳L(zhǎng)處,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)盛競(jìng)爭(zhēng)者。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。
          MOS工作基礎(chǔ)知識(shí)
          MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管因?yàn)檩斎胱杩垢撸ò∕OS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時(shí)應(yīng)留意以下規(guī)則:
          (1). MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。
          (2).掏出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng),應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。
          (3).MOS器件出廠時(shí)通常裝在玄色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起,或用錫紙包裝MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)留意分類(lèi),不能隨意互換。
          (4). 焊接用的電烙鐵必需良好接地。在檢驗(yàn)電路時(shí)應(yīng)留意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。
          (7). MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在答應(yīng)前提下,最好接入保護(hù)二極管。
          (5). 在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接,再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開(kāi)。拆機(jī)時(shí)順序相反。
          (6).電路板在裝機(jī)之前,要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子,再把電路板接上去。
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