MOS管四個(gè)區(qū)域詳解
判斷場效應(yīng)管工作區(qū)域，下面先講述MOS管場效應(yīng)管的四個(gè)區(qū)域：
1）可變電阻區(qū)（也稱非飽和區(qū)）
滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開啟。在該區(qū)域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當(dāng)uGs一定時(shí)，ip與uDs成線性關(guān)系，該區(qū)域近似為一組直線。這時(shí)場效管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓UGS控制的可變電阻。
2）恒流區(qū)（也稱飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū)）
滿足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預(yù)夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，當(dāng)uGs一定時(shí)，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時(shí)場效應(yīng)管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓uGs控制的電流源。場效應(yīng)管用于放大電路時(shí)，一般就工作在該區(qū)域，所以也稱為放大區(qū)。
3）夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）
夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）滿足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區(qū)域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，io=0，管子不工作。
4）擊穿區(qū)位
擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著UDs的不斷增大，pn結(jié)因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時(shí)應(yīng)避免管子工作在擊穿區(qū)。
轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在下圖（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐標(biāo)中連成曲線，即得到轉(zhuǎn)移性曲線，如圖下（b）所示。
判斷場效應(yīng)管工作區(qū)域
判斷場效應(yīng)管工作區(qū)域。首先，我們以結(jié)型N溝道場效應(yīng)管為例：
我們可以看到，輸出特性曲線中，場管的工作區(qū)域分成了三個(gè)部分：
可變電阻區(qū)（對(duì)應(yīng)三極管的飽和區(qū)）
恒流區(qū)（對(duì)應(yīng)三極管的放大區(qū)）
夾斷區(qū)，也叫截止區(qū)（對(duì)應(yīng)三極管的截止區(qū)）
大家看到介于可變電阻區(qū)和恒流區(qū)之間的那條橙色曲線了嗎？那條是預(yù)夾斷軌跡，它是各條曲線上使uDS=uGS?uGS(off) 的點(diǎn)連接而成的。也就是說，預(yù)夾斷軌跡滿足方程：uDS=uGS?uGS(off)。那么，可變電阻區(qū)就應(yīng)該滿足uDS<uGS?uGS(off)。
恒流區(qū)就應(yīng)該滿足：uDS>uGS?uGS(off) 。而截止區(qū)，就不用多說了，就是滿足uGS<uGS(off)。那么，對(duì)于MOS管的區(qū)域判斷也是一樣的，方程不變，只是將uGS(off) 改成uGS(th）。
場效應(yīng)管的作用
一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。
三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
五、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
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