1. <ruby id="m9jka"><samp id="m9jka"><center id="m9jka"></center></samp></ruby>
        <acronym id="m9jka"><td id="m9jka"><center id="m9jka"></center></td></acronym>

        1. 99中文字幕精品国产,日韩精品无码中文字幕一区二区,97se综合,日韩城人网站,精品三级av无码一区,精品久久久久久久久中文字幕,亚洲熟女综合一区二区三区,婷婷丁香五月亚洲中文字幕

          您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

          深圳市烜芯微科技有限公司

          ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
          二極管、三極管、MOS管、橋堆

          全國服務熱線:18923864027

        2. 熱門關鍵詞:
        3. 橋堆
        4. 場效應管
        5. 三極管
        6. 二極管
        7. MOS管選型規范- MOS管選型規范的六個原則介紹
          • 發布時間:2020-11-20 16:01:34
          • 來源:
          • 閱讀次數:
          MOS管選型規范- MOS管選型規范的六個原則介紹
          MOS管選型規范原則有六個必知
          負載電流IL--它直接決定于MOSFET的輸出能力;輸入-輸出電壓–它受MOSFET負載占空比能力限制;開關頻率FS–參數影響MOSFET開關瞬間的耗散功率;MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統指定的可靠性目標。
          MOS管選型規范
          MOS管選型規范
          一、電壓應力
          在電源電路應用中,往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實際工作環境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規格書中標稱漏源擊穿電壓的90%。即:VDS_peak≤90%*V(BR)DSS
          注:一般地,V(BR)DSS具有正溫度系數。故應取設備最低工作溫度條件下之V(BR)DSS值作為參考。
          二、漏極電流
          其次考慮漏極電流的選擇?;驹瓌t為MOSFET實際工作環境中的最大周期漏極電流不大于規格書中標稱最大漏源電流的90%;
          漏極脈沖電流峰值不大于規格書中標稱漏極脈沖電流峰值的90%即:ID_max≤90%*ID,ID_pulse≤90%*IDP
          注:一般地,ID_max及ID_pulse具有負溫度系數,故應取器件在最大結溫條件下之ID_max及ID_pulse值作為參考。器件此參數的選擇是極為不確定的—主要是受工作環境,散熱技術,器件其它參數(如導通電阻,熱阻等)等相互制約影響所致。最終的判定依據是結點溫度(即如下第六條之“耗散功率約束”)。根據經驗,在實際應用中規格書目中之ID會比實際最大工作電流大數倍,這是因為散耗功率及溫升之限制約束。在初選計算時期還須根據下面第六條的散耗功率約束不斷調整此參數。建議初選于3~5倍左右ID=(3~5)*ID_max。
          三、驅動要求
          MOSFEF的驅動要求由其柵極總充電電量(Qg)參數決定。在滿足其它參數要求的情況下,盡量選擇Qg小者以便驅動電路的設計。驅動電壓選擇在保證遠離最大柵源電壓(VGSS)前提下使Ron盡量小的電壓值(一般使用器件規格書中的建議值)
          四、損耗及散熱
          小的Ron值有利于減小導通期間損耗,小的Rth值可減小溫度差(同樣耗散功率條件下),故有利于散熱。
          五、損耗功率初算
          MOSFET損耗計算主要包含如下8個部分:
          PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover
          詳細計算公式應根據具體電路及工作條件而定。例如在同步整流的應用場合,還要考慮體內二極管正向導通期間的損耗和轉向截止時的反向恢復損耗。損耗計算可參考下文的“MOS管損耗的8個組成部分”部分。
          六、耗散功率約束
          器件穩態損耗功率PD,max應以器件最大工作結溫度限制作為考量依據。如能夠預先知道器件工作環境溫度,
          則可以按如下方法估算出最大的耗散功率:
          PD,max≤(Tj,max-Tamb)/Rθj-a
          其中Rθj-a是器件結點到其工作環境之間的總熱阻,包括Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance等。MOS管選型規范如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進去。
          MOS管參數含義說明
          Vds:DS擊穿電壓.當Vgs=0V時,MOS的DS所能承受的最大電壓
          Rds(on):DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻
          Id:最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
          Vgs:最大GS電壓.一般為:-20V~+20VI
          dm:最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系
          Pd:最大耗散功率
          Tj:最大工作結溫,通常為150度和175度
          Tstg:最大存儲溫度
          Iar:雪崩電流
          Ear:重復雪崩擊穿能量
          Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
          BVdss:DS擊穿電壓
          Idss:飽和DS電流,uA級的電流
          Igss:GS驅動電流,nA級的電流.
          gfs:跨導
          Qg:G總充電電量
          Qgs:GS充電電量
          Qgd:GD充電電量
          Td(on):導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
          Tr:上升時間,輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間
          Td(off):關斷延遲時間,輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關斷電壓時10%的時間
          Tf:下降時間,輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間(參考圖4)。
          Ciss:輸入電容,Ciss=Cgd+Cgs.
          Coss:輸出電容,Coss=Cds+Cgd.
          Crss:反向傳輸電容,Crss=Cgc.
          烜芯微專業制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,4000家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
          相關閱讀
          主站蜘蛛池模板: 国产午夜精品福利久久| 亚洲欧美一区二区不卡精品 | 911国产精品| 精品国产免费第一区二区三区| 国产精品99精品无码视频亚瑟| 99热播这里只有精品国产首页| 真人与拘做受免费视频| 色综合人人超人人超级国碰| 手机看片国产日韩| 久久婷婷激情亚洲综合色| 桐柏县| 一区二区三区在线不卡免费| 国产真人无遮挡免费视频| 一起草AV| 91丨人妻丨国产丨丝袜| 免费人成网上在线观看网址 | 欧美婷婷六月丁香综合色| 手机看片1024人妻| 国产精品无码一区二区在线| 日韩亚洲国产中文永久一二三| 国产精品女人在线观看| 三级网站| 国精品午夜福利视频不卡| 狠狠色婷婷久久一区二区三区| AV资源站| 亚洲а∨天堂久久精品2021| 人妻无码久久久久久久久久久| 国内嫩模私拍精品视频| 国产无遮挡裸体免费视频| 久久天天躁狠狠躁夜夜婷 | 亚洲美女高清aⅴ视频免费| 久久99热66这里只有精品一| 国产xxx| 精品久久精品久久99| 被黑人做的白浆直流在线播放| 岳普湖县| 福利在线不卡| 日韩中文字幕一区二区不卡| 欧美va天堂va视频va在线| 亚洲中文字幕在线无码一区二区| 少妇被黑人到高潮喷出白浆|