在常規(guī)使用中，似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動，但實(shí)際情況是，MOS的電流流向和BJT不一樣，BJT的電流流向已經(jīng)固定，但是MOS并沒有。本節(jié)不從物理結(jié)構(gòu)上闡述其電流流向，主要探討MOS的電流流向以及體二極管電流相關(guān)問題，為后續(xù)的電路設(shè)計(jì)夯實(shí)基礎(chǔ)。
€1.MOS的電流流向
圖5-1：使用建議MOS的電流流向
使用MOS時(shí)，常選擇的電流流向如圖5-1所示，NMOS從D極流向S極；PMOS從S極流向D極。然后我們發(fā)現(xiàn)他們的電流流向和各自寄生的體二極管Di極性是相反的。也就是說如果在開關(guān)使用場景，導(dǎo)通時(shí)電流只會通過MOS主體流過，Di是反極性不會有額外電流流過。關(guān)閉時(shí)MOS也處于完全關(guān)閉狀態(tài)。
圖5-2：MOS另外的電流流向
而用圖5-2所示這種方式使用MOS，NMOS從S極流向D極；PMOS從D極流向S極。然后我們發(fā)現(xiàn)他們的電流流向和各自寄生的體二極管Di極性是相同的。也就是說如果在開關(guān)使用場景，導(dǎo)通時(shí)電流不僅會通過MOS主體流過，Di是同極性也會有額外少許電流。關(guān)閉時(shí)MOS實(shí)際并不處于完全關(guān)閉狀態(tài)，會有較大的電流從Di流過。
MOS電流導(dǎo)通流向不是唯一的，在VGS滿足驅(qū)動條件時(shí)，主要是看源極和漏極之間的電位，漏極電位高于源極，電流D到S。源極電位高于漏極，電流S到D。
€2.MOS的體二極管電流
如圖5-3和 圖5-4 ，隨意挑選了幾款MOS，可以了解到其二極管流過的電流Is值，有些會標(biāo)明二極管持續(xù)電流和脈沖電流。從值可以看出還是比較大的，并且每一個(gè)MOS管都會標(biāo)注如圖5-5的關(guān)斷時(shí)寄生二極管電流值曲線，圖5-5為一款NMOS。
當(dāng)我們以圖5-2中NMOS的使用方式作為開關(guān)，當(dāng)NMOS關(guān)斷時(shí)，仍會有比較大的電流經(jīng)由Di從S流向N，實(shí)際上達(dá)不到開關(guān)的效果，這就是為什么開關(guān)場景仍以圖5-1的設(shè)計(jì)方式而不是圖5-2的方式。但這并不說明圖5-2所示的使用方式完全沒有使用的意義，在一些特別的場景，比如防反接，這樣的使用方式就特別有用（后面會講到）。
圖5-3：某款功率NMOS寄生二極管過流和壓降
圖5-4：某款小信號NMOS寄生二極管過流和壓降
圖5-5：VGS=0V時(shí)，作為源極-漏極電壓的函數(shù)的源極電流--典型值
€3.小結(jié)
兩種電流流向的選擇不僅影響G極驅(qū)動的方式，也影響著是選擇高側(cè)還是低側(cè)開關(guān)，根據(jù)實(shí)際使用場景，合理選擇電流流向和驅(qū)動方式，靈活使用。
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