分享一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路，關(guān)于三極管和MOS管的基礎(chǔ)使用方法可以參見下文說明。
三級管和場效應(yīng)管驅(qū)動電路設(shè)計及使用
開關(guān)控制電路，MCU控制三極管，然后再控制MOS管，如下圖所示：
電路解析：
當I/O為高電平時，三極管導(dǎo)通，MOS管柵極被拉低，1.8V電源導(dǎo)通；
當I/O為低電平時，三極管不導(dǎo)通，MOS管不導(dǎo)通，1.8V電源不導(dǎo)通。
為什么要這樣做呢？
這個和三極管和MOS的特性有很大關(guān)系：三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化；MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。
三極管的基極驅(qū)動電壓只要高于Ube的死區(qū)電壓即可控制三極管導(dǎo)通，硅材料三極管的死區(qū)電壓一般為0.6V，鍺材料三極管的死區(qū)電壓一般為0.3V，所以控制三極管的電壓對于硅材料的三極管來說只要高于0.6V左右即可，而對于鍺材料的三極管來說只要高于0.3V左右即可。所以MCU先連接控制三極管。
而MOS管就不一樣了，MOS管是電壓型驅(qū)動，其驅(qū)動電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通，不同型號的MOS管其導(dǎo)通的Ugs最小值是不同的，一般為3V~5V左右，最小的也要2.5V，但這也只是剛剛導(dǎo)通，其電流很小，還處于放大區(qū)的起始階段，一般MOS管達到飽和時的驅(qū)動電壓需6V~10V左右。
一般MCU IO輸出電壓為3.3V，很可能無法打開MOS管，所以MCU不直接連接控制MOS管。
而且三極管帶負載的能力沒有MOS管強，所以MCU控制三極管，然后再控制MOS管來控制負載設(shè)備。
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