電源的正負(fù)極一旦接反，就會導(dǎo)致很多電子元器件燒毀，其中主要的緣由是因?yàn)殡娏鬟^大導(dǎo)致器件被擊穿，因此實(shí)際應(yīng)用中必須采取防止接反的措施。
以下常見的四種防反接電路設(shè)計(jì)，全是干貨！
01.二極管串聯(lián)
利用其正向?qū)?、反向截止的特性，在正電源的輸入端串?lián)一個(gè)正向二極管：
二極管導(dǎo)通，電路板工作。當(dāng)電源接反時(shí)，二極管截止，電源無法形成回路，電路板不再工作，可以有效防止電源接反問題。
不過，在這里要注意：正常工作時(shí)要考慮二極管上產(chǎn)生0.7V的電壓降，這可能會導(dǎo)致電路不工作，因此對供電電壓有嚴(yán)格要求的電路不建議使用。
02.整流橋型
這個(gè)電路工作原理并不復(fù)雜，無論輸入全橋整流器的電源極性怎么樣，輸出始終是固定的。因此不管是正接還是反接 ，電路都能夠保持工作。
不過要注意的是全橋 整流器會產(chǎn)生約1.5V的電壓降。
03.保險(xiǎn)絲+穩(wěn)壓二極管
這種電路設(shè)計(jì)可以防止反接，也可以防止過壓。其工作原理如下：
當(dāng)電源Vin接反時(shí)，二極管D1正向?qū)?，?fù)載的負(fù)壓是二極管的導(dǎo)通電壓Vf，Vf一般比較低并不會燒毀后級負(fù)載電路。
與此同時(shí)，Vin反接，D1正向?qū)?，電壓主要落在F1上，在開始時(shí)電路會迅速上升，直到超過F1的熔斷電流，保險(xiǎn)絲F1熔斷，電源斷開（此時(shí)不會因?yàn)殡娏鬟^大而燒壞D1）。
04、低內(nèi)阻MOS管（NMOS & PMOS）
（NMOS防反接）
（PMOS防反接）
當(dāng)電源正常接入時(shí)，MOS管導(dǎo)通；當(dāng)電源反接時(shí)，MOS管截止，達(dá)到反接保護(hù)。
NMOS和PMOS都能達(dá)到防反接的功能，具體在往期VBsemi小編也有講過（需要的友友們可以去翻），不過兩者的連接方式不一樣。
正常通電時(shí)電路保持工作，反接電源時(shí)，電路不工作，并達(dá)到電源反接保護(hù)功能。
在實(shí)際應(yīng)用中，在PMOS柵極與源極之間加個(gè)電阻會更好。相比NOMS導(dǎo)通需要Vgs大于閾值電壓，由于其開啟電壓可以為0，DS之間的壓差不大，比NMOS更具有優(yōu)勢。
MOS管因工藝提升，其導(dǎo)通內(nèi)阻較小等優(yōu)勢，很多都是毫歐級，甚至更小，其對電路的壓降，功耗造成的損失特別小，甚至可以忽略不計(jì)。
因此選擇MOS管對電路進(jìn)行保護(hù)是比較常見的。
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