MOS管不同于三極管，它屬于電壓控制型器件，但是實際上MOS管在從關斷到導通的過程中，也是需要電流的，這是因為MOS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs以及Cds。
MOS管的規(guī)格書參數(shù)對應：
Cgd=Crss；
Cds=Coss-Crss；
Cgs=Ciss-Crss
首先MOS管的導通條件，是Vgs電壓至少需要達到閾值電壓Vgs(th)，它通過柵極電荷對Cgs電容進行充電。當MOS管完全導通后就不需要提供電流了。
那么，MOS管具體的開通過程是怎樣的呢？
一般分為四個階段
T1階段：
驅(qū)動開通脈沖通過mos管的柵-源極對輸入電容Cgs充電，開啟時Vgs電壓=閾值電壓Vth，在此之前，mos管處于關斷狀態(tài)。此時只有很小的電流經(jīng)過mos管，Vds的電壓Vdd保持不變
T2階段:
當Vgs電壓達到閾值電壓Vth時，電流ID開始流過漏極，Vgs電壓繼續(xù)上升，電流也逐漸上升。這時的Vds電壓依舊保持Vdd不變。
當Vds電壓到達米勒平臺電壓Vgp時，電流ID上升到負載電流的最大值ID，這時，Vds電壓開始從Vdd下降。
T3階段：
現(xiàn)在就到了重要的米勒平臺了。
米勒期間電流ID保持負載ID不變，Vds電壓不斷降低。米勒平臺的高度受負載電流的影響，當負載電流越大，電流ID到達的時間就越長，也就導致了更高的米勒平臺電壓Vgp。
T4階段：
當米勒平臺結束時，Vgs電壓繼續(xù)降低，但此時它降低的幅度很小。最后穩(wěn)定。
一般在米勒平臺結束以后，可以認為mos管基本已經(jīng)導通。
為什么會造成彌勒平臺？
因為MOS開通時，Vd＞Vg，Vgd先通過MOS管放電，再反向充電，奪取了給Cgs充電的電流，造成Vgs電壓不變，所以造成米勒平臺。也就是說，如果想要減少開通損耗，就要盡可能的減少米勒平臺的時間。
這是MOS管的開通過程了，下期我們來講mos管的關斷過程。
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