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以電路分析開(kāi)關(guān)電源Layout原則介紹
2022-12-31
以電路分析開(kāi)關(guān)電源Layout原則介紹開(kāi)關(guān)電源PCB Layout原則以同步整流BUCK電路為例分析開(kāi)關(guān)電源Layout原則。首先分析工作原理，下文用SM指
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MOS管電路,usb保護(hù)電路圖介紹
2022-12-31
MOS管電路,usb保護(hù)電路圖介紹usb保護(hù)電路圖(一)圖2是NUP4114UPXV6為USB2 0高速數(shù)據(jù)應(yīng)用提供ESD保護(hù)的電路圖。USB控制器如果發(fā)生ESD瞬態(tài)事件
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MOS管防倒灌電路,防反接電路優(yōu)缺點(diǎn)介紹
2022-12-31
MOS管防倒灌電路,防反接電路優(yōu)缺點(diǎn)介紹典型電路1、電路1說(shuō)明：GND-IN 為電源接口的負(fù)極GND 為內(nèi)部電路的公共地原理分析正向接：V
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開(kāi)關(guān)電源電路,防雷擊,防浪涌電路介紹
2022-12-30
開(kāi)關(guān)電源電路,防雷擊,防浪涌電路介紹開(kāi)關(guān)電源，輸入保護(hù)電路很重要，開(kāi)關(guān)輸入保護(hù)電路具有過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)以及浪涌抑制等功能，對(duì)于電網(wǎng)
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SiC MOSFET短路特性,短路保護(hù)解析
2022-12-30
SiC MOSFET短路特性,短路保護(hù)解析SiC MOSFET的短路保護(hù)1 短路故障是導(dǎo)致SiC MOSFET失效的重要原因之一，盡管SiC MOSFET具有較好的導(dǎo)熱
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ESD器件防護(hù)原理,性能參數(shù)介紹
2022-12-30
ESD器件防護(hù)原理,性能參數(shù)介紹ESD器件的主要性能參數(shù)1、最大工作電壓(Max Working Voltage)允許長(zhǎng)期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的電壓(有
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PCB板常用的ESD保護(hù)電路,措施介紹
2022-12-29
PCB板常用的ESD保護(hù)電路,措施介紹人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損
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ESD防護(hù),幾種ESD靜電保護(hù)方法介紹
2022-12-29
ESD防護(hù),幾種ESD靜電保護(hù)方法介紹電路級(jí)ESD防護(hù)方法1、并聯(lián)放電器件常用的放電器件有TVS，齊納二極管，壓敏電阻，氣體放電管等。如圖1 齊納
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ESD防護(hù),ESD保護(hù)電路優(yōu)缺點(diǎn)解析
2022-12-29
ESD防護(hù),ESD保護(hù)電路優(yōu)缺點(diǎn)解析根據(jù)ESD防護(hù)器件的TLP I-V特性我們可將ESD器件分為回滯類(lèi)和非回滯類(lèi)兩種；回滯類(lèi)的ESD器件包括NPN三極管、
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模擬集成,詳解小信號(hào)模型中的跨導(dǎo)介紹
2022-12-28
模擬集成,詳解小信號(hào)模型中的跨導(dǎo)介紹小信號(hào)模型中的跨導(dǎo)數(shù)學(xué)中我們有一個(gè)經(jīng)典的思想：微分思想。設(shè)函數(shù)y=f(x)在x0及其附近有定義，如果函
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電源模型與其等效變換解析
2022-12-28
電源模型與其等效變換解析電壓源模塊及其伏安特性電路圖如圖2-1-1(a)所示，其中us為電壓源的電壓，Rs為它的內(nèi)電阻（也稱(chēng)電壓源的輸出電阻）
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電路設(shè)計(jì),電源與地之間接電容的作用介紹
2022-12-28
電路設(shè)計(jì),電源與地之間接電容的作用介紹VCC(電源)和GND(地)之間電容的作用作用： 電源輸入 輸出濾波電容，主要用于穩(wěn)定輸出，對(duì)穩(wěn)壓有利